产品分类:ETX-PM主板类型:N沟道MOSFET 最大漏极电流(ID):10A 最大漏源电压(VDS):60V 最大栅源电压(VGS):±20V 导通电阻(RDS(on)):0.3Ω 工作温度范围:-55°C 至 +150°C 封装类型:TO-220 功率耗散(PD):40W